电力半导体器件应用技术的发展与挑战
报告人： Prof. Lorenz IEEE Fellow German Academy of Science
时间：2015年11月12日（周四）下午13:30
地点：通用208
Prof. Lorenz简介：
Leo Lorenz教授是电力电子器件及其应用领域里世界级顶级专家，2007年被评为德国科学院士，是欧洲功率电子中心(ECPE)主席（创建人）、Fraunhofer Gesellschaft Erlangen (FhG)科学委员会成员、美国电力电子系统中心(CPES)工业咨询委员会委员、中国照明驱动电源协会成员（中国），他还是EPE Europe 共同创办人、副主席，IEEE ISPSD咨询委员会委员，PCIM欧洲大会总监，PCIM中国创建人及大会总监等。他多次获得国际行业协会的最佳论文奖，2002年获得德国工业社会创新奖，2010年获得IEEE-ISPSD 杰出贡献奖，是IEEE Fellow。2012年和2015年分别获得IEEE的William E. Newell电力电子奖和恩斯特布莱克勒奖。他的众多发明包括在PSpice中实现的功率MOSFET模型、MOS驱动控制的晶体管、超薄晶圆NPT/IGBT模块、集成温度保护的功率MOSFET、全集成功率模块(IPM)、针对高速MOSFET的非破坏性保护工作区测试仪等等均是相关技术邻域的开创性发明，为相关类型产品和技术研发奠定了基础。他所研究的成果在电力电子系统中被广泛应用。他发表了二百五十多篇技术论文，获得了六十多项功率电子器件和电路方面的专利。Lorenz教授不仅是卓越的电力电子器件领域的科学家，同时也是杰出的沟通者和管理专家。Lorenz教授多年来与中国高校和工业界有着广泛的合作，他不仅是全球著名企业博世、英飞凌、丹麦的CORPE等的技术顾问，还在浙江大学、西安交通大学、清华大学、香港大学等多所中国大学任兼职教授并授课。
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2015年11月9日
